[发明专利]TFT基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910912284.4 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN110676266B | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 章仟益 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/82 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 汪阮磊 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种TFT基板及其制备方法、显示装置,其可以使得背沟道蚀刻‑氧化铟镓锌型TFT基板中的铜膜层的线宽更细,从而能够应用于解析度更高的布线,同时通过NF3和O2刻蚀气体对作为沟道底层的钼膜层进行干刻蚀,以防止氧化铟镓锌膜层受到损伤。 | ||
搜索关键词: | tft 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种TFT基板,其特征在于,包括:/n一衬底基板;/n一栅极,设于所述衬底基板;/n一栅极绝缘层,覆盖于所述栅极;/n一有源层,设于所述栅极绝缘层;/n源极和漏极,设于所述有源层上;以及/n一钝化层,所述钝化层设置在所述有源层、所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上;/n所述源极和所述漏极包括依次层叠设置的:/n一第一金属层,设于所述有源层上;/n一第二金属层,设于所述第一金属层上;/n一第三金属层,设于所述第二金属层上;/n所述第二金属层为镍或镍合金制成,所述第三金属层为铜材料制成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的