[发明专利]TFT基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201910912284.4 申请日: 2019-09-25
公开(公告)号: CN110676266B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 章仟益 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/82
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 汪阮磊
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种TFT基板及其制备方法、显示装置,其可以使得背沟道蚀刻‑氧化铟镓锌型TFT基板中的铜膜层的线宽更细,从而能够应用于解析度更高的布线,同时通过NF3和O2刻蚀气体对作为沟道底层的钼膜层进行干刻蚀,以防止氧化铟镓锌膜层受到损伤。
搜索关键词: tft 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
1.一种TFT基板,其特征在于,包括:/n一衬底基板;/n一栅极,设于所述衬底基板;/n一栅极绝缘层,覆盖于所述栅极;/n一有源层,设于所述栅极绝缘层;/n源极和漏极,设于所述有源层上;以及/n一钝化层,所述钝化层设置在所述有源层、所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上;/n所述源极和所述漏极包括依次层叠设置的:/n一第一金属层,设于所述有源层上;/n一第二金属层,设于所述第一金属层上;/n一第三金属层,设于所述第二金属层上;/n所述第二金属层为镍或镍合金制成,所述第三金属层为铜材料制成。/n
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