[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201910912440.7 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110634879B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 高超;王哲献 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11536 | 分类号： | H01L27/11536;H01L27/11548;H01L27/11558 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底分为第一部分和第二部分；在衬底上依次形成形成第一介质层、浮栅层、第二介质层和控制栅层；依次刻蚀第一部分的控制栅层、第二介质层、浮栅层和第一介质层形成多组并排的引出结构，每组引出结构包括两个引出条三个控制栅连接电极，三个所述控制栅连接电极分别连接在两个所述引出条的外侧和两个所述引出条之间，每一个引出条连接第二部分的一端的横截面尺寸大于另一端，相邻的两组引出结构的控制栅连接电极错开布置。在本发明半导体器件的形成方法中，形成的任一组控制栅连接电极不会与其相邻的引出条连接短路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，将衬底分为第一部分和第二部分；/n在所述衬底上依次形成第一介质层、浮栅层、第二介质层和控制栅层；/n依次刻蚀所述第一部分衬底上的部分控制栅层、部分第二介质层、部分浮栅层和部分第一介质层露出所述衬底表面，形成多组并排的引出结构，每组所述引出结构包括两个引出条和三个控制栅连接电极，三个所述控制栅连接电极分别连接在两个所述引出条的外侧和两个所述引出条之间，每一个所述引出条连接所述第二部分的一端的横截面尺寸大于另一端，所述相邻的两组引出结构的控制栅连接电极错开布置；/n在所述第二部分形成多列栅极结构组成存储单元，每列所述栅极结构对应一个所述引出条，每列所述栅极结构的横截面尺寸大于所述引出条的横截面的尺寸。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
