[发明专利]在IGBT芯片上集成温度传感器的方法

摘要

本申请公开了一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括在硅衬底上生成栅氧化层；在栅氧化层上生成多晶硅栅层；在多晶硅栅层上生成氧化层；在氧化层上生成温度传感器poly层；在温度传感器poly层中形成P型区；刻蚀预设区域的温度传感器poly层，直到露出氧化层；在P型区中形成N型区；刻蚀去除N型区和P型区表面的温度传感器poly层、未被温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层；同时制作温度传感器接触孔和IGBT接触孔；解决了目前IGBT芯片的结温监测方案复杂、精确度不高的问题；达到了实时精确监测IGBT芯片的结温，快速进行温度响应的效果。

主权项

1.一种在IGBT芯片上集成温度传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：/n在硅衬底上生成栅氧化层；/n在所述栅氧化层上生成多晶硅栅层；/n在所述多晶硅栅层上生成氧化层；/n在所述氧化层上生成温度传感器poly层；/n向所述温度传感器poly层中的预定深度注入硼离子，形成P型区；/n刻蚀预设区域的温度传感器poly层，直到露出氧化层；/n在所述P型区中形成N型区；/n刻蚀去除所述N型区和所述P型区表面的温度传感器poly层、未被所述温度传感器poly层覆盖的氧化层、预定区域的多晶硅栅层；/n同时制作温度传感器接触孔和IGBT接触孔，所述温度传感器接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔贯穿所述N型区，所述第二接触孔贯穿所述P型区，所述IGBT接触孔贯穿所述栅氧化层并与所述硅衬底连通。/n