[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910914457.6 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110620126A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 马富林;李超;杨健 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/18 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王玉玺 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种图像传感器及其制造方法。用于制造图像传感器的方法包括：在像素晶片的第一面形成第一光电二极管区域；将衬底晶片接合到所述像素晶片的所述第一面；将所述像素晶片的与所述第一面相对的第二面进行减薄，从而形成所述像素晶片的第三面；在所述像素晶片的所述第三面形成第二光电二极管区域，所述第二光电二极管区域与所述第一光电二极管区域彼此相结合；以及将逻辑晶片接合到所述像素晶片的所述第三面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 像素 光电二极管区域 图像传感器 接合 衬底晶片 逻辑晶片 第二面 减薄 面形 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造图像传感器的方法，其特征在于，包括：/n在像素晶片的第一面形成第一光电二极管区域；/n将衬底晶片接合到所述像素晶片的所述第一面；/n将所述像素晶片的与所述第一面相对的第二面进行减薄，从而形成所述像素晶片的第三面；/n在所述像素晶片的所述第三面形成第二光电二极管区域，所述第二光电二极管区域与所述第一光电二极管区域彼此相结合；以及/n将逻辑晶片接合到所述像素晶片的所述第三面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910914457.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
