[发明专利]RRAM阻变结构下电极的工艺方法有效
| 申请号： | 201910914898.6 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110635032B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 唐优青;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种RRAM阻变结构下电极的工艺方法，本发明采用改变晶格结构的方法，将沉积TiN的程式改为多次沉积的基础之上，在每层TiN之间插入薄薄一层Ti,阻断TiN晶格的生长，而在依次交替形成的TiN、Ti层中，通过改变沉积工艺条件中的N2、Ar流量比例以及电源功率的方法来达到改变交替形成的TiN、Ti层中相邻TiN层的不同晶格结构，在顶部TiN层使用现有的晶格结构的TiN层，既避免了改变TiN晶格对整个device器件的影响，又同时得到较好填充的TiN且CMP后无碟状现象的下电极TiN。 | ||
| 搜索关键词： | rram 结构 电极 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.RRAM阻变结构下电极的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供形成RRAM阻变结构下电极的通孔结构；/n步骤二、依次交替形成多个TiN层、Ti层以填充并覆盖所述通孔结构；所述每一层的Ti层的厚度小于与其相邻的所述TiN层的厚度，并且形成的所述相邻TiN层的晶格结构彼此不同；/n步骤三、在交替形成的最顶层的所述Ti层上形成一层顶部TiN层；/n步骤四、研磨所述顶部TiN层使其平整。/n
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