[发明专利]背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构有效
申请号: | 201910914910.3 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110634899B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 李葆轩;于世瑞 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦健 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,针对图像传感器的深槽隔离网栅结构的辅助图形,所述的辅助图形为包含两组相对平行的线段,两组相对平行的线段共形成四个交叉区域,以合围形成口字型,所述的每组对边均包含中间粗两端细的线段,其两端较细的部分相互交叉。或者是辅助图形包含口子型主体部分及四个顶角部分,且主体形成的四个顶角又由四个小口字型组成,分别与主体的相邻两边相接;所述的四个顶角向外延伸凸出;本发明在网栅结构图形中所能添加辅助图形较短的情况下,对辅助图形拐角处进行了交叉和外凸两种特殊优化处理,从而显著增加图形、特别是拐角处图形的工艺窗口。 | ||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 光电子 隔离 层网栅 辅助 图形 结构 | ||
【主权项】:
1.一种背照式图像传感器光电子隔离层网栅的辅助图形结构,针对图像传感器的深槽隔离网栅结构,在其内部增加辅助图形,其特征在于:/n所述的辅助图形为封闭的结构,包含两组相对平行的线段,两组相对平行的线段共形成四个交叉区域,以合围形成口字型,所述的每组对边均包含中间粗两端细的线段,构成相邻的边的线段,其两端较细的部分相互交叉,围成封闭的口字型。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910914910.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的