[发明专利]双重栅极氧化层生长方法及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910914960.1 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110634735A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 勾鹏;张真;刘巍 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及双重栅极氧化层生长方法及半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在包括核心器件和输入输出器件的半导体衬底上生长厚氧氧化层过程中增加温度峰值950度的退火工艺，使得厚氧氧化层SiO2更加致密，氧化层与半导体衬底(如硅)之间的拉应力被提高，当核心器件区域去除厚氧氧化层后，应力已经被记忆下来，提高了沟道中的电子迁移率，同时由于此工艺过程是在器件浅掺杂、源漏离子注入之前，对于器件的总体电性性能不会产生很大的影响，而电子迁移率的提高使得器件在相同的工作电压下，可以实现更高的饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 厚氧 电子迁移率 衬底 半导体 半导体集成电路制造 致密 核心器件区域 输入输出器件 半导体器件 氧化层生长 饱和电流 电性性能 工艺过程 工作电压 核心器件 双重栅极 退火工艺 拉应力 浅掺杂 沟道 去除 源漏 离子 生长 制造 | ||
【主权项】：
1.一种双重栅极氧化层生长方法，其特征在于，包括：/nS1：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成输入输出器件区域和核心器件区域，在半导体衬底表面进行厚氧氧化层生长工艺，形成的厚氧氧化层覆盖输入输出器件区域和核心器件区域，其中厚氧氧化层生长工艺包括退火工艺，退火工艺具有一温度峰值t2，厚氧氧化层生长工艺具有一生长温度t1，且t2大于t1；/nS2：涂胶光刻，打开核心器件区域；/nS3：对核心器件区域进行刻蚀工艺，刻蚀氧化层直到核心器件区域的阱处；以及/nS4：进行薄氧氧化层生长工艺，使薄氧氧化层覆盖核心器件区域，其中厚氧氧化层的厚度大于薄氧氧化层的厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
