[发明专利]遮蔽环位置监测方法及其监测系统有效
| 申请号： | 201910914992.1 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110581083B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 王雪新;钟飞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体生产先进图形薄膜制程遮蔽环位置监测方法，包括建立用于标记晶圆缺口位置的直角坐标系；标记晶圆缺口在所述直角坐标系中的坐标范围；沉积薄膜；在晶圆缺口坐标范围内测量薄膜厚度；若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度等于零，则判断遮蔽环位置准确；若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度大于零，则判断遮蔽环位置不准确，进行遮蔽环位置校准。本发明还公开了一种用于半导体生产先进图形薄膜制程遮蔽环位置监测系统。本发明能及时发现并解决遮蔽环位置偏移问题，避免晶圆缺口附近产生缺陷丛。 | ||
| 搜索关键词： | 遮蔽 位置 监测 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
1.一种遮蔽环位置监测方法，用于半导体生产的先进图形薄膜制程，其特征在于，包括以下步骤：/nS1,建立用于标记晶圆缺口位置的直角坐标系；/nS2,标记晶圆缺口在所述直角坐标系中的坐标范围；/nS3，沉积薄膜；/nS4，在晶圆缺口坐标范围内测量薄膜厚度；/nS5，若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度小于等于判断阈值，则判断遮蔽环位置准确；若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度大于判断阈值，则判断遮蔽环位置不准确，进行遮蔽环位置校准。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
