[发明专利]以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺有效
| 申请号： | 201910915534.X | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110635036B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 金向华;高如天;王新喜;孙猛 | 申请（专利权）人： | 金宏气体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 姚惠菱 |
| 地址： | 215152 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，包括如下步骤：(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；(4)以体积比为3‑5:5‑7的羰基硫和氮气作为双极型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成双极型半导体材料层；(5)在步骤(4)得到的衬底的双极型半导体材料层上制备源电极和漏电极。本发明中的方法与传统的结构结构设计相比，实现方式简单，同时避免了复杂的有机合成和分子设计过程。极大的简化了整个产品的设计历程。 | ||
| 搜索关键词： | 羰基 氮气 作为 掺杂 有机 场效应 晶体管 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；/n(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；/n(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；/n(4)以体积比为3-5:5-7的羰基硫和氮气作为双极型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成双极型半导体材料层；/n(5)在步骤(4)得到的衬底的双极型半导体材料层上制备源电极和漏电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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