[发明专利]半导体装置有效

申请号：	201910915589.0	申请日：	2016-03-08
公开（公告）号：	CN110600423B	公开（公告）日：	2021-07-27
发明（设计）人：	尹彰燮;尹广燮;尹锺密;李炯宗	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L21/8238;H01L23/485;H01L23/528;H01L27/02
代理公司：	北京铭硕知识产权代理有限公司 11286	代理人：	张晓;韩芳
地址：	韩国京畿***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅极结构，沿第一方向延伸并且与PMOSFET区和NMOSFET区交叉；栅极接触件，在第一栅极结构上并且连接到第一栅极结构，栅极接触件在PMOSFET区与NMOSFET区之间，栅极接触件包括：第一子接触件，与第一栅极结构的顶表面接触，第一子接触件包括沿第一栅极结构的一个侧壁朝向基底竖直地延伸的竖直延伸部分，第二子接触件，与第一栅极结构分隔开，第二子接触件的顶表面位于与第一子接触件的顶表面的水平面相同的水平面处。
搜索关键词：	半导体装置
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【主权项】：

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：/n基底，包括在第一方向上延伸的有源图案；/n装置隔离层，位于基底上，装置隔离层限定有源图案；/n第一栅极结构，位于有源图案和装置隔离层上，第一栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及/n栅极接触件，连接到第一栅极结构，/n其中，整个栅极接触件与装置隔离层竖直叠置，/n其中，栅极接触件包括沿着第一栅极结构的一个侧壁朝向装置隔离层竖直延伸的竖直延伸部分，并且/n其中，竖直延伸部分的底表面与装置隔离层的顶表面分隔开。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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