[发明专利]基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910915598.X | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110620164B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 黄皖;魏钟鸣;文宏玉;李京波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器、其制备方法及应用，该偏振光探测器包括基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；所述有源层设置在源电极和漏电极之间。本发明通过使用二维层状半导体材料作为有源层，而源电极、漏电极均为金属材料，选择合适的金属材料金，使半导体和金属的交界面为欧姆接触，保留材料本身的光电性质；本发明使用的二硫化铅锡具有高的光电响应率及偏振性，且光吸收区域覆盖紫外到近红外波段，在偏振光探测中有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 层状 半导体材料 偏振光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器，包括：基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；/n所述有源层设置在源电极和漏电极之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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