[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 201910915803.2 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110957241A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 守田聪;饱本正巳;森川胜洋;水永耕市 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在以将基板保持于旋转台的状态进行基板的处理的基板处理中提高基板温度的控制精度。具备:旋转驱动机构,其使保持着基板的旋转台旋转;电加热器,其与旋转台一起旋转地设于旋转台,并加热基板;受电电极,其与旋转台一起旋转地设于旋转台,与电加热器电连接;供电电极,其与受电电极接触而经由它向电加热器供给驱动电力;电极移动机构,其使供电电极和受电电极相对接触、分离;供电部,其向供电电极供给驱动电力;处理杯,其包围旋转台的周围;至少1个处理液喷嘴,其向基板供给处理液;处理液供给机构,其向处理液喷嘴供给处理液;控制部,其控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构以及处理液供给机构。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造