[发明专利]基板处理装置在审
申请号: | 201910915822.5 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110957242A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 森川胜洋;饱本正巳;守田聪;水永耕市 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置。相对于基板周围的腐蚀性的环境来保护用于向加热器的供电和加热器的控制的电气部件。基板处理装置具备:旋转驱动机构,其使保持着基板的旋转台绕旋转轴线旋转;处理液喷嘴,其向保持于旋转台的基板的上表面供给处理液;电加热器,其设置于顶板,隔着顶板对基板进行加热;电气部件,其设置于顶板的下表面侧,接收或发送用于向电加热器的供电和电加热器的控制的信号;以及周缘罩体,其与顶板的周缘部连接,与顶板一起旋转。在顶板的下方形成有收纳电气部件的收纳空间,收纳空间被包括顶板和周缘罩体的包围构造物包围,顶板的周缘部与周缘罩体之间被密封。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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