[发明专利]具有低K和超低K介电层的指状电容器在审
| 申请号： | 201910915854.5 | 申请日： | 2019-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110943165A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 尹春山;洪全敏;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路，所述集成电路具有指状电容器，所述指状电容器具有形成于多层结构中的倒置梯形沟槽中的多个金属指状物，所述多层结构具有在超低K介电层上方的抛光终止层，所述超低K介电层在低K介电层上方，所述低K介电层在介电顶盖层上方。所述超低K介电层降低所述指状物之间的电容变化，同时所述抛光终止层防止原本会由对所述超低K介电层直接执行CMP引起的金属高度变化。分层结构可包括在所述抛光终止层上方的另一个低K介电层，所述另一个低K介电层为所述CMP提供软着垫。所述抛光终止层可在所述CMP抛光之后移除，并且可形成另一个超低K介电层以将所述金属指状物的顶部包封在所述超低K介电材料中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 介电层 电容器 | ||
【主权项】：
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