[发明专利]高稳定的黑磷纳米片及其制备方法，以及阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910916963.9 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110660910A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李润伟;陈威林;叶俊雅;高双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 33291 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 赵兴华 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高稳定的黑磷纳米片及其制备方法。将有机小分子修饰在黑磷纳米片上，与黑磷纳米片共价连接，在黑磷片层表面形成保护层，从而提高黑磷片层的稳定性，同时保留其半导体特性。该高稳定的黑磷片可作为阻变存储器的活性层，能够提高阻变存储器的稳定性，循环次数以及保持时间。 | ||
| 搜索关键词： | 黑磷 纳米片 阻变存储器 高稳定 半导体特性 有机小分子 共价连接 片层表面 保护层 活性层 片层 修饰 制备 保留 | ||
【主权项】：
1.一种高稳定的黑磷纳米片，其特征是：有机小分子修饰在黑磷纳米片上，与黑磷纳米片共价连接。/n
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