[发明专利]一种检测硅片背面软损伤密度的方法有效
| 申请号： | 201910917214.8 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110618132B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘九江;周欢;崔丽;贾申;齐禹纯;郑耀;张志鹏;朱希明;由佰玲 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N1/32;G01N1/30;H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 戴文仪 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种检测硅片背面软损伤密度的方法，包括如下步骤：S1、热氧化处理；S2、腐蚀：将步骤S1得到的硅片放入氢氟酸中浸泡；S3、染色：配置三氧化二铬溶液，将步骤S2得到的硅片浸入配置好的三氧化二铬溶液中反应；S4、清水冲洗；S5、计算。本发明通过热氧化诱生层错，通过腐蚀去除氧化层，通过三氧化二铬溶液对层错进行染色，令超微量损伤层出现的层错在显微镜下直观的显示出来，具有稳定、可靠、高效、便捷的优点，不仅可以协助技术部门对喷砂工艺进行优化或根据客户需求选取特定的喷砂工艺，还可以对产品的日常生产进行监控，确保产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 硅片 面软 损伤 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测硅片背面软损伤密度的方法，其特征在于：包括如下步骤：/nS1、热氧化处理：选取硅片，对硅片进行热氧化处理，在硅片表面形成二氧化硅膜氧化层；/nS2、腐蚀：将步骤S1得到的硅片放入氢氟酸中浸泡，去除硅片表面的二氧化硅膜氧化层；/nS3、染色：配置三氧化二铬溶液，将步骤S2得到的硅片浸入配置好的三氧化二铬溶液中反应；/nS4、清水冲洗：取出步骤S3得到的硅片，采用清水冲洗硅片若干次，将硅片表面的酸性溶液冲洗干净；/nS5、计算：在显微镜下观察，采用9点法计算硅片表面平均层错密度，即背面软损伤密度，计算公式如式(1)所示：/nN＝n/S(1)/n式(1)中，N：单位平方厘米内层错个数；/nn：视场范围内层错个数；/nS：显微镜特定倍数下视场面积。/n
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