[发明专利]具有无孔参比接界的传感器有效
| 申请号： | 201910917485.3 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111007130B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 金山·霍;特尔玛·萨奇洛特 | 申请（专利权）人： | 恩德莱斯和豪瑟尔分析仪表公司 |
| 主分类号： | G01N27/401 | 分类号： | G01N27/401;G01N27/30;G01N27/333;G01N27/28;G01N27/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆森;戚传江 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有无孔参比接界的传感器。根据本公开的至少一个方面，公开了一种用于测量介质的电化学传感器的参比半电池。所述参比半电池包括：壳体，所述壳体限定包含电解质的腔室，所述壳体包括具有穿过其中的孔的壁；以及电极，所述电极被布置在所述腔室中的所述电解质中。所述参比半电池还包括参比接界，所述参比接界被布置在所述孔中，使得所述参比接界与所述壳体壁之间的交界面是不可渗透的。所述参比接界是电气导电或离子导电的且对于所述被测介质和所述电解质是不可渗透的，并且所述参比接界使得能够在所述电极处实现恒定电位。还公开了采用所述参比接界的电化学传感器和氧化还原电位传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 接界 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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