[发明专利]图形转移方法有效
| 申请号： | 201910918577.3 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112563121B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈广辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 上述图形转移方法，包括在已形成目标层的衬底表面依次形成掩膜层和光刻胶层，通过光刻等工艺制程，将图形从光罩依次转移到光刻胶层、掩膜层，并最终形成目标层图形。在本发明中，使用与碳源气体同时通入氮源气体或硼源气体中至少一种的技术方案，形成作为掩膜层的掺杂碳薄膜，所述掩膜层不仅折射率可调，而且还表现出优异的稳定性和抗腐蚀性。使用前述掩膜层实现了无需抗反射涂层的图形转移方法，该图形转移方法具有工艺简单、操作性强和制造速度快的优势，大大简化了传统图形转移方法的工艺制程。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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