[发明专利]一种新型晶硅太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910920589.X | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110634973A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张树德;魏青竹;况亚伟;钱洪强;丁可;揭建胜;张晓宏;李跃;连维飞;倪志春;刘玉申;杨希峰 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院;苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0288 | 分类号： | H01L31/0288;H01L31/0352;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 32232 苏州华博知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄丽莉 |
| 地址： | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型晶硅太阳电池，包括：第一背面N型硅和背面N型硅，所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接，第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度；在保证P型硅片正表面钝化效果的前提下，规避硼扩散工艺，简化制备流程，此外，还减小背面N型硅区域的复合速率，提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 磷掺杂 晶硅太阳电池 电池效率 钝化效果 交替设置 硼扩散 正表面 减小 制备 复合 保证 | ||
【主权项】：
1.一种新型晶硅太阳电池，其特征在于，包括：第一背面N型硅和背面N型硅，所述第一背面N型硅和所述背面N型硅交替设置连接，第一背面N型硅的磷掺杂浓度大于背面N型硅的磷掺杂浓度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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