[发明专利]芯片及其制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 201910922445.8 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110783212A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 余功炽 | 申请（专利权）人： | 无锡天芯互联科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 唐双 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种芯片及其制备方法、电子设备，该芯片的制备方法包括：提供一芯片本体，芯片本体具有焊接面，焊接面上设有多个焊盘；在焊接面上设置覆盖膜，覆盖膜设有与多个焊盘一一对应且暴露对应焊盘的过孔，其中，覆盖膜覆盖至少部分焊盘的部分；在暴露的焊盘上进行植球操作。本申请所提供的制备方法能够提高焊接芯片工艺的可靠性以及降低电子产品的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 焊盘 覆盖膜 制备 焊接 芯片本体 芯片 电子设备 芯片工艺 焊接面 暴露 植球 电子产品 申请 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供一芯片本体，所述芯片本体具有焊接面，所述焊接面上设有多个焊盘；/n在所述焊接面上设置覆盖膜，所述覆盖膜设有与多个所述焊盘一一对应且暴露对应所述焊盘的过孔，其中，所述覆盖膜覆盖至少部分所述焊盘的部分；/n在暴露的所述焊盘上进行植球操作。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
