[发明专利]一种3D NAND及其制作方法

摘要

本申请公开一种3D NAND及其制作方法，其中，3D NAND通过第一金属部将金属层中的第一金属部和第一半导体衬底电性连接，通过第二金属部将金属层中的第二金属部和通孔中导电层电性连接，其中，通孔中的导电层、介质层与第一半导体衬底之间形成电容，使得电容位于衬底内，占据3DNAND的第一半导体衬底的闲置区域，从而避免占用较大的衬底区域。同时，第一金属部作为第一极板、第二金属部作为第二极板，第一金属部和第二金属部之间还能形成MOM电容，从而增大了第一金属部、第一半导体衬底、介质层、导电层、第二金属部之间形成的电容的容量。

主权项

1.一种3D NAND，其特征在于，包括：/n第一半导体衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；/n贯穿所述第一半导体衬底的绝缘环；/n位于所述绝缘环包围的第一半导体衬底内，且贯通所述第一半导体衬底的多个通孔；/n位于所述通孔的内壁上的介质层以及填充所述通孔的导电层；/n位于所述第一半导体衬底的第一表面背离第二表面一侧的金属层，所述金属层包括相互绝缘的第一金属部和第二金属部；/n电连接所述第一半导体衬底和所述第一金属部的第一接触部；/n电连接所述导电层和所述第二金属部的第二接触部；/n所述第一金属部为第一极板，所述第二金属部为第二极板。/n