[发明专利]一种刻蚀装置及刻蚀方法有效
申请号: | 201910924228.2 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110581095B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 张永奎;朱慧珑;卢维尔;夏洋;李琳;郭晓龙;尹晓艮;文庆涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种刻蚀装置,包括:氧化修饰单元、刻蚀单元、清洁单元、传输单元和控制单元;其中,氧化修饰单元包括:第一腔室,设置在第一腔室内的第一监控组件,以及由第一监控组件进行监控的第一供给组件,第一供给组件与第一腔室连通;氧化修饰单元用于对晶片进行氧化处理;传输单元用于将晶片在第一腔室、第二腔室和第三腔室之间进行转移;控制单元分别与第一监控组件、第二监控组件、第三监控组件和传输单元连接,用于控制第一监控组件、第二监控组件和第三监控组件的工作状态,以及控制传输单元转移晶片。本刻蚀装置可批量进行各种数字化湿法刻蚀,以及能够对不同材料进行高选择性精细化刻蚀。同时,本发明还提供了一种刻蚀方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:/n氧化修饰单元,所述氧化修饰单元包括:第一腔室,设置在所述第一腔室内的第一监控组件,以及由所述第一监控组件进行监控的第一供给组件,所述第一供给组件与所述第一腔室连通;所述氧化修饰单元用于对晶片进行氧化处理;/n刻蚀单元,所述刻蚀单元包括:第二腔室,设置在所述第二腔室内的第二监控组件,以及由所述第二监控组件进行监控的第二供给组件,所述第二供给组件与所述第二腔室连通;用于将经所述氧化修饰单元氧化后的所述晶片进行刻蚀处理;/n清洁单元,所述清洁单元包括:第三腔室,设置在所述第三腔室内的第三监控单元,以及由所述第三监控单元进行监测的第三供给组件,第三供给组件与所述第三腔室连通;用于在经所述氧化修饰单元和/或所述刻蚀单元处理前,对所述晶片进行清洁处理;/n传输单元,所述传输单元用于将所述晶片在所述第一腔室、第二腔室和第三腔室之间进行转移;/n控制单元,所述控制单元分别与所述第一监控组件、第二监控组件、第三监控组件和传输单元连接,用于控制所述第一监控组件、第二监控组件和第三监控组件的工作状态,以及控制所述传输单元转移所述晶片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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