[发明专利]一种刻蚀装置及刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201910924228.2 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110581095B 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 张永奎;朱慧珑;卢维尔;夏洋;李琳;郭晓龙;尹晓艮;文庆涛 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 代理人: 王胜利
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种刻蚀装置,包括:氧化修饰单元、刻蚀单元、清洁单元、传输单元和控制单元;其中,氧化修饰单元包括:第一腔室,设置在第一腔室内的第一监控组件,以及由第一监控组件进行监控的第一供给组件,第一供给组件与第一腔室连通;氧化修饰单元用于对晶片进行氧化处理;传输单元用于将晶片在第一腔室、第二腔室和第三腔室之间进行转移;控制单元分别与第一监控组件、第二监控组件、第三监控组件和传输单元连接,用于控制第一监控组件、第二监控组件和第三监控组件的工作状态,以及控制传输单元转移晶片。本刻蚀装置可批量进行各种数字化湿法刻蚀,以及能够对不同材料进行高选择性精细化刻蚀。同时,本发明还提供了一种刻蚀方法。
搜索关键词: 一种 刻蚀 装置 方法
【主权项】:
1.一种刻蚀装置,其特征在于,包括:/n氧化修饰单元,所述氧化修饰单元包括:第一腔室,设置在所述第一腔室内的第一监控组件,以及由所述第一监控组件进行监控的第一供给组件,所述第一供给组件与所述第一腔室连通;所述氧化修饰单元用于对晶片进行氧化处理;/n刻蚀单元,所述刻蚀单元包括:第二腔室,设置在所述第二腔室内的第二监控组件,以及由所述第二监控组件进行监控的第二供给组件,所述第二供给组件与所述第二腔室连通;用于将经所述氧化修饰单元氧化后的所述晶片进行刻蚀处理;/n清洁单元,所述清洁单元包括:第三腔室,设置在所述第三腔室内的第三监控单元,以及由所述第三监控单元进行监测的第三供给组件,第三供给组件与所述第三腔室连通;用于在经所述氧化修饰单元和/或所述刻蚀单元处理前,对所述晶片进行清洁处理;/n传输单元,所述传输单元用于将所述晶片在所述第一腔室、第二腔室和第三腔室之间进行转移;/n控制单元,所述控制单元分别与所述第一监控组件、第二监控组件、第三监控组件和传输单元连接,用于控制所述第一监控组件、第二监控组件和第三监控组件的工作状态,以及控制所述传输单元转移所述晶片。/n
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