[发明专利]一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法有效
申请号: | 201910924318.1 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN110739227B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 郁发新;冯光建;王志宇;陈华;张兵 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/473 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法,具体包括如下步骤:101)芯片载板制作步骤、102)转接板制作步骤、103)键合步骤;本发明提供设置大流量散热沟槽的一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 三维 散热 结构 射频 模组 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于三维散热结构的三维异构射频模组的制作方法,其特征在于:具体包括如下步骤:/n101)芯片载板制作步骤:通过光刻,刻蚀工艺在芯片载板的下表面制作凹槽,在芯片载板下表面沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成绝缘层,通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层,通过光刻,电镀工艺在种子层上制作键合金属形成焊盘;/n对芯片载板上表面进行减薄,减薄厚度在10um到700um之间;芯片载板的上表面制作芯片槽,通过焊接工艺或者导热胶粘工艺把射频芯片焊接在芯片槽内,并由焊锡或导热胶填充满射频芯片跟芯片槽的间隙区域;通过光刻,电镀工艺在芯片载板上表面制作RDL;/n102)转接板制作步骤:转接板上表面沉积氧化硅或者氮化硅,或者直接热氧化形成绝缘层,通过物理溅射,磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层;种子层上制作RDL;/n通过光刻,刻蚀工艺在转接板上表面与芯片载板的下表面凹槽对应位置处制作TSV孔;通过光刻、干法或者湿法刻蚀工艺在转接板上表面与芯片槽对应的位置制作散热沟槽,散热沟槽深度范围在10um到700um之间;/n103)键合步骤:将芯片载板下表面与转接板上表面进行焊接,转接板的下表面进行减薄,并露出TSV孔底部;通过光刻,电镀工艺在转接板下表面制作连接焊盘;切割焊接键合的模组得到单一的射频模组,把射频模组安装到相应PCB板上,散热沟槽通入可循环散热液体,得到具有三维散热能力的射频模组PCB板。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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