[发明专利]相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统有效
| 申请号： | 201910924590.X | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110970073B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈佑昇;吴昭谊;张家文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变记忆电路、用于相变记忆装置的方法、脉冲产生系统。方法包括将脉冲序列施加于相变记忆装置，脉冲序列的每个脉冲包括脉冲编号、振幅、前缘、脉冲宽度和后缘，其中后缘的持续时间比前缘的持续时间还要长。施加脉冲序列的操作包括在增加脉冲编号时增加幅度、脉冲宽度和后缘持续时间的其中至少一者。此方法还包括改变相变记忆装置的电导准位，以回应于施加脉冲序列。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆 电路 用于 装置 方法 脉冲 产生 系统 | ||
【主权项】：
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