[发明专利]半导体激光器阵列的封装结构在审
| 申请号： | 201910924888.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110518453A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 闫立华;李德震;徐会武 | 申请（专利权）人： | 石家庄麦特达电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 祁静<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 050000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体激光器阵列的封装结构，涉及半导体激光器芯片封装技术领域，包括芯片、第一硬焊料、第二硬焊料以及次热沉；第二硬焊料的外侧面至芯片的距离大于第一硬焊料外侧面至芯片的距离；次热沉底面上设有用于连通第一硬焊料和第二硬焊料的第一金属化区域，次热沉的底面与芯片的高反面之间设有第二间隙。本发明提供的半导体激光器阵列的封装结构，第一硬焊料和第二硬焊料非对称的设置于芯片的两侧，能够利用较大长度的第二硬焊料实现对芯片P面的有效散热，第一间隙的设置增加了相邻的芯片单元之间物理隔离，避免了多芯片贴装时因芯片数量增加导致的应力累加，具有散热效果良好、无应力累加、芯片数量扩展性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 硬焊料 芯片 次热 半导体激光器阵列 封装结构 外侧面 累加 半导体激光器芯片 金属化区域 散热效果 物理隔离 芯片单元 有效散热 扩展性 多芯片 非对称 高反面 底面 贴装 封装 连通 | ||
【主权项】：
1.半导体激光器阵列的封装结构，其特征在于，包括：/n芯片，板面沿上下方向设置且平行排布有若干个；/n第一硬焊料，设置于所述芯片的N面；/n第二硬焊料，设置于所述芯片的P面且外侧面至所述芯片的P面的距离大于所述第一硬焊料外侧面至所述芯片的N面的距离，相邻两个所述芯片之间的所述第一硬焊料和所述第二硬焊料之间设有第一间隙；以及/n次热沉，位于所述芯片的上方，且所述次热沉底面上设有用于连通所述第一硬焊料和所述第二硬焊料的第一金属化区域，所述次热沉的底面与所述芯片的高反面之间设有第二间隙。/n
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