[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910925071.5 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110957359A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐继兴;杨世海;张志宇;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种负电容半导体装置，包括基板。介电层设置在基板的一部分上方。铁电结构设置在介电层上。在铁电结构内，铁电结构的材料组成随铁电结构内的高度而变化。栅极电极设置在铁电结构上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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