[发明专利]一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法有效
| 申请号： | 201910925306.0 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110527973B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;姚凯丽;代兵;谭小俊;杨磊;赵继文;舒国阳;韩杰才 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/50 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，它涉及一种制备掺硼金刚石的方法。本发明要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全，对设备有腐蚀性的问题。制备方法：一、掺杂源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备。本发明用于利用固态掺杂源制备掺硼金刚石。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 固态 掺杂 制备 金刚石 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：/n一、掺杂源的制备：/n将石墨粉和硼源研磨并混合，得到混合粉体，然后将混合粉体放入压片机中，压成圆片或正方形薄片，得到固态掺杂源；/n所述的硼源中硼元素与石墨粉中碳元素的原子比为(0.001～0.1):1；/n所述的硼源为硼粉或者氧化硼粉末；/n二、掺硼金刚石薄膜的制备：/n将衬底及多个固态掺杂源置于微波等离子化学气相沉积装置的样品台上，且多个固态掺杂源均布设置于衬底外围，通入氢气或通入氢气与其他气体的混合气体，然后在氢气流速为50sccm～300sccm、衬底温度为400℃～1100℃、固态掺杂源温度为600℃～1200℃、压强为80mbar～500mbar及微波功率为1500W～6000W的条件下，沉积30min～50h，在衬底表面生长掺硼金刚石薄膜，得到表面生长有掺硼金刚石薄膜的衬底，即完成利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法；/n所述的其他气体为甲烷和惰性气体中的一种或两种的混合。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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