[发明专利]一种钝化结构的制作方法、钝化结构和光伏电池在审
| 申请号： | 201910926600.3 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110634996A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王钊;杨洁;陈石;朱佳佳 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种钝化结构的制作方法，包括：提供一N型制绒硅片；在N型制绒硅片的正面形成隧穿氧化层；形成覆盖隧穿氧化层的本征多晶硅层；在本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除本征多晶硅层中除目标部分之外的部分；去除隧穿氧化层的除被掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分；在N型制绒硅片未覆盖部分进行硼扩散，得到硼扩散层，以便得到钝化结构。本申请可以提升光伏电池的转换效率。本申请同时还提供了一种应用于TopCon太阳能电池的钝化结构、光伏电池，均具有上述有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 本征多晶硅层 隧穿氧化层 钝化结构 制绒硅片 光伏电池 多晶硅 掺硼 去除 覆盖 申请 太阳能电池 硼扩散层 转换效率 硼掺杂 硼扩散 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种钝化结构的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一N型制绒硅片；/n在所述N型制绒硅片的正面形成隧穿氧化层；/n形成覆盖所述隧穿氧化层的本征多晶硅层；/n在所述本征多晶硅层的目标部分进行硼掺杂，得到掺硼多晶硅，并去除所述本征多晶硅层中除所述目标部分之外的部分；/n去除所述隧穿氧化层的除被所述掺硼多晶硅覆盖部分之外的部分；/n在所述N型制绒硅片未覆盖部分进行硼扩散，得到硼扩散层，以便得到钝化结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
