[发明专利]低温度系数高使用温度烧结钐钴磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201910927117.7 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112582123B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 宋奎奎 | 申请（专利权）人： | 河北泛磁聚智电子元件制造有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/055 | 分类号： | H01F1/055;H01F41/02;C22C19/07;C22C30/02;B22F9/04;B22F1/10;B22F3/04;B22F3/10;B22F3/24 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 065301 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低温度系数高使用温度烧结钐钴磁体的制备方法，包括：1)铸锭a和b的制备；2)粉末的制备；3)粉末的混合；4)磁场成型、等静压；5)烧结固溶、时效处理。本发明将合金铸锭a(高温磁体)和铸锭b(低温度系数磁体)按照合适的比例进行制粉，然后混粉、压制、热处理，制备的烧结钐钴磁体同时具有低温度系数和高使用温度的双重特性。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 系数 使用 烧结 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北泛磁聚智电子元件制造有限公司，未经河北泛磁聚智电子元件制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910927117.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
