[发明专利]一种用于半导体器件的叠加封装工艺及半导体器件有效

专利信息
申请号: 201910927364.7 申请日: 2019-09-27
公开(公告)号: CN110649905B 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: 李林萍;盛荆浩;江舟 申请(专利权)人: 杭州见闻录科技有限公司
主分类号: H03H3/10 分类号: H03H3/10;H03H3/007
代理公司: 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) 35235 代理人: 陈远洋
地址: 310019 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明的实施例提出了一种用于半导体器件的叠加封装工艺及半导体器件,该工艺包括以下步骤:制备主晶圆,主晶圆的正面预留有封装键合区域;制备副晶圆,副晶圆的正面预留有封装键合区域,并且在副晶圆的正面加工出若干凹槽;将主晶圆和副晶圆的封装键合区域键合在一起来实现两个晶圆的叠加;以及对副晶圆的背面进行研磨或打薄直到主晶圆的至少部分区域从凹槽暴露出。该工艺非常适用于制造二合一和双工器芯片,尤其适用于制造声波滤波器。本发明提出了一种新的晶圆级叠加封装结构,实现die叠加方式的晶圆级封装,同时具备两颗芯片的功能,能够大幅地减少封装体积和芯片面积,和两颗独立封装的芯片的体积相比仅为其60%左右。
搜索关键词: 一种 用于 半导体器件 叠加 封装 工艺
【主权项】:
1.一种用于半导体器件的叠加封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:/na)制备主晶圆,所述主晶圆的正面预留有封装键合区域;/nb)制备副晶圆,所述副晶圆的正面预留有封装键合区域,并且在所述副晶圆的所述正面加工出若干凹槽;/nc)将所述主晶圆和所述副晶圆的所述封装键合区域键合在一起来实现两个晶圆的叠加;以及/nd)对所述副晶圆的背面进行研磨或打薄直到所述主晶圆的至少部分区域从所述凹槽暴露出。/n
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