[发明专利]用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置及其方法有效
申请号: | 201910929424.9 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN111048439B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 安钟八 | 申请(专利权)人: | 安钟八;爱捷株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G01J5/02;B24B37/005;B24B49/14 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于测量半导体晶片温度的传感器位置调整装置及其方法,其中,装置包括:支架;第一固定部件,其插入至形成于支架的第一结合孔;第二固定部件,其插入至形成于支架的第二结合孔,对温度传感器进行固定;位置调整部件,其设置于第二固定部件下面,对温度传感器进行固定支撑;温度传感器;夹具,用于对温度传感器的感知位置进行调整;控制器,其设置有晶片表面监控系统,晶片表面监控系统将温度传感器拍摄的表面温度分为多个频道并通过显示器显示。本发明的优点在于,在从半导体晶片表面去除金属污染物质和有机污染物质的过程中,实时识别到晶片表面由于化学反应和摩擦达到一定温度以上,从而使得晶片不良率减少,进而提高收率。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 半导体 晶片 温度 传感器 位置 调整 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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