[发明专利]钨酸镉闪烁单晶的补氧消色生长方法在审
| 申请号： | 201910929496.3 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110607560A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈红兵;孙志刚;成毓康 | 申请（专利权）人： | 宁波阳光和谱光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C09K11/68;C30B11/08 |
| 代理公司： | 33228 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 周民乐 |
| 地址： | 315100 浙江省宁波市鄞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钨酸镉闪烁单晶的补氧消色生长方法，采用固相反应合成钨酸镉多晶粉体，向预先合成多晶粉体中添加一种碱金属过氧化物(M | ||
| 搜索关键词： | 钨酸镉多晶 单晶 多晶粉体 铂坩埚 钨酸镉 补氧 碱金属过氧化物 炉膛 单晶生长工艺 固相反应合成 闪烁 钨酸镉单晶 坩埚下降法 发光性能 固相反应 密闭条件 强氧化性 添加剂量 有效解决 着色问题 生长 晶格氧 浅色 粉体 黑化 晶格 缺位 消色 装入 添加剂 合成 | ||
【主权项】：
1.一种钨酸镉闪烁单晶的补氧消色生长方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)以氧化镉和氧化钨为初始原料，将初始原料按照氧化镉:氧化钨＝1:1的摩尔比研磨混合均匀，在800～900℃下固相烧结4-8小时，所获烧结料再次研磨后，在900～1000℃下再次固相烧结4-8小时，获得钨酸镉多晶料；/n(2)选用碱金属过氧化物M
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