[发明专利]真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置有效

专利信息
申请号: 201910930900.9 申请日: 2019-09-29
公开(公告)号: CN112570691B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 刘月玲;刘润海 申请(专利权)人: 京磁材料科技股份有限公司
主分类号: B22D27/04 分类号: B22D27/04;C23C14/35
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 代理人: 史霞
地址: 101300 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种真空熔炼制备磁控溅射靶的冷却装置,包括:冷却水槽,其内部平行间隔设有两个隔层,两个隔层密封卡设在冷却水槽的相对两侧壁之间,以将冷却水槽分隔为位于两侧的冷水腔和位于中间的冷却腔,冷水腔设有进水口和出水口,每个隔层包括依次贴附设置的钢板、保温板、耐高温板,其中,钢板与冷却腔接触,耐高温板与冷水腔接触;一对模具,一个模具贴附设置在一个隔层上方,每个模具均具有一个缺口,一对模具对合后的缺口形成一个漏液口。本发明通过一对模具使得浇铸口的毛刺等缺陷延伸到漏液口处,确保获得的靶材成品不会残留因浇铸口带来的缺陷,本发明让冷却过程达到一个平衡点,确保最终的用于磁控溅射的靶材的品质,无裂纹缩孔。
搜索关键词: 真空 熔炼 制备 磁控溅射 冷却 装置
【主权项】:
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