[发明专利]芯片存储区域失效地址物理位置的确认方法及装置有效
| 申请号： | 201910931028.X | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110706728B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 林万建;张顺勇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种芯片存储区域失效地址物理位置的确认方法及装置，所述方法对所述存储芯片进行电性验证，获得异常沟道存储单元对应的失效行地址和失效列地址后，找到所述失效行地址对应的异常字线，对所述异常字线进行位置标记；将所述异常字线与异常字线两侧相邻的若干字线电连接一起，形成字线连接区域；将所述存储芯片置于电镜中进行扫描，通过图像明暗对比度的不同，识别出字线连接区域；在电镜中沿着所述对比度不同的字线连接区域移动存储芯片，找到所述失效列地址对应的异常位线，对所述异常字线和所述异常位线交叉处对应的异常沟道存储单元进行物理位置标记。本发明方法提高了物理位置标记的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 存储 区域 失效 地址 物理 位置 确认 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种芯片存储区域失效地址物理位置的确认方法，其特征在于，包括：/n提供存储芯片，所述存储芯片包括多层层叠的控制栅、贯穿所述控制栅的若干沟道孔存储结构、与相应层的控制栅连接的若干字线以及与相应的沟道孔存储结构连接的若干位线；/n对所述存储芯片进行电性验证，获得异常沟道存储单元对应的失效行地址和失效列地址；/n找到所述失效行地址对应的异常字线，对所述异常字线进行位置标记；/n将所述异常字线与异常字线两侧相邻的若干字线电连接一起，形成字线连接区域；/n将所述存储芯片置于电镜中进行扫描，通过图像明暗对比度的不同，识别出字线连接区域；/n在电镜中沿着所述对比度不同的字线连接区域移动存储芯片，找到所述失效列地址对应的异常位线，对所述异常字线和所述异常位线交叉处对应的异常沟道存储单元进行物理位置标记。/n
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