[发明专利]功率型半导体器件封装结构的制备工艺有效
| 申请号： | 201910931349.X | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110676176B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 邱宇峰;李现兵;赵志斌;吴军民;张朋;张雷;唐新灵 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/367;H01L23/49;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李亚南 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明所提供的功率型半导体器件封装结构的制备工艺，通过设置柔性导电层及双面覆导电层的绝缘板，E电极不直接作用于芯片组件上，芯片组件的电流通过柔性导电层到达E电极，芯片组件的热量以垂直方式通过柔性导电层向散热工质传导(例如向四周的电极传热)，且第一导电凸起来承接柔性导电层，分散了作用于芯片组件上的压应力，柔性导电层对芯片组件焊接面实现较小的压应力，避免了较大的压力直接作用在芯片组件表面，减少了芯片组件温度循环时高压应力条件下的三向应力损伤，提高了连接可靠性，实现压力与导电和导热的解耦，最终提高了功率型半导体器件封装结构可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 封装 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种功率型半导体器件封装结构的制备工艺，包括如下步骤：/n提供至少一个双面覆导电层的绝缘板和至少一个柔性导电层；/n使绝缘板的一面与芯片组件的第一端子连接且使半导体器件的C电极与第一端子连接；/n使绝缘板的另一面通过第一导电凸起与柔性导电层连接且使半导体器件的E电极与芯片组件的第二端子连接，并使柔性导电层与E电极连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
