[发明专利]三维非易失性存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910931645.X | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111564447B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 朴恩英 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/40;H10B43/50;G11C7/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 三维非易失性存储器装置及其制造方法。一种半导体装置包括存储块，存储块包括多个存储器串，其中多个存储器串的每一个中的晶体管被调整为虚设晶体管和正常晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 非易失性存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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