[发明专利]磁存储器件在审
| 申请号： | 201910932168.9 | 申请日： | 2019-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN111200058A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 李同规 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁存储器件可以包括：在基板上的磁隧道结图案；导线，在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸，并与所述磁隧道结图案的底表面接触；以及底部图案，位于所述导线与所述基板之间并与所述导线的底表面接触。导线的材料可以具有第一晶格常数，并且底部图案的材料可以具有小于导线的第一晶格常数的第二晶格常数。备选地或另外地，底部图案包括金属氮化物，并且底部图案的氮含量高于底部图案的金属元素含量。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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