[发明专利]基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法在审
| 申请号： | 201910933226.X | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110687422A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 傅海鹏;牛牧芊;马凯学 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 12107 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩新城 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，步骤是：获取选用MOS晶体管基本电参数，确定施加射频应力和直流应力的条件；不同栅极电压条件下测试1/f噪声参数；对MOS晶体管进行热载流子退化实验，得到噪声电流的功率谱密度随频率变化的曲线；将实验所得数据分为低频段、中频段和高频段分别提取数据，实现对热载流子注入效应的提取；提取相同应力时间、射频应力和直流应力后噪声电流功率谱密度随栅极电压变化的曲线。本发明为研究射频应力条件下热载流子注入效应对MOS晶体管退化程度的影响和机理提供技术支持。 | ||
| 搜索关键词： | 热载流子注入效应 射频 功率谱密度 噪声参数 噪声电流 栅极电压 退化 实验所得数据 技术支持 频率变化 热载流子 提取数据 应力条件 低频段 电参数 高频段 中频段 施加 测试 研究 | ||
【主权项】：
1.基于1/f噪声参数对MOS晶体管热载流子注入效应的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：/n获取选用MOS晶体管基本电参数，确定施加射频应力和直流应力的条件；/n不同栅极电压条件下测试1/f噪声参数,获得不同栅极电压条件下测试1/f噪声参数变化的曲线；/n按上述施加射频应力和直流应力的条件，对MOS晶体管施加射频应力和直流应力加速试验，进行热载流子注入试验，定时采集晶体管的测试数据，得到噪声电流的功率谱密度随频率变化的曲线；/n将测试1/f噪声的频率范围分为低频段、中频段和高频段，分别在各频段提取1/f噪声参数，得到不同应力时间噪声电流功率谱密度随频率变化的曲线、噪声电流功率谱密度随应力时间的退化曲线，以实现分别对热载流子注入效应进行分析；/n在上述的三个频段中，每个频段分别选取至少5个频率点，提取在相同应力时间下，射频应力和直流应力加速退化实验后噪声电流功率谱密度随栅极电压变化的曲线，以实现在不同频段和不同栅极电压下，通过分析1/f噪声电流功率密度的大小，提取在MOS晶体管栅氧化层产生的氧化物陷阱密度和界面陷阱密度。/n
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