[发明专利]用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法有效
申请号: | 201910933626.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110716833B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 罗发治 | 申请(专利权)人: | 东莞记忆存储科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 李翔宇 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法,包括:步骤S1,将待测的SSD与笔记本电脑连接;步骤S2,采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满;步骤S3,利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量;步骤S4,断开所述笔记本电脑的AC供电电源;步骤S5,对所述笔记本电脑采用DC供电,让所述笔记本电脑处于空闲状态至电量耗尽;步骤S6,所述笔记本电脑重新连上AC供电电源开机;步骤S7,再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量;步骤S8,将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差,得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。 | ||
搜索关键词: | 用于 测量 ssd 进入 ps4 状态 造成 nand flash 写入 方法 | ||
【主权项】:
1.用于测量SSD单次进入PS4状态时所造成的NAND FLASH写入量的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤S1,将待测的SSD与笔记本电脑连接;/n步骤S2,采用AC供电使所述笔记本电脑的电池电量充满;/n步骤S3,利用数据读取工具读取所述SSD此时已进入的PS4状态的次数和NAND FLASH的写入量;/n步骤S4,断开所述笔记本电脑的AC供电电源;/n步骤S5,对所述笔记本电脑采用DC供电,且不对所述笔记本电脑进行任何操作,让所述笔记本电脑处于空闲状态,直至所述笔记本电脑的电池电量耗尽;/n步骤S6,所述笔记本电脑重新连上AC供电电源,使所述笔记本电脑开机;/n步骤S7,再次利用所述数据读取工具读取所述SSD此时已进入PS4状态的次数和NANDFLASH的写入量;/n步骤S8,将步骤S3、S7获得的NAND FLASH写入量之差除以两次进入PS4状态次数之差,得到所述SSD单次进入PS4状态时所引入的NAND FLASH写入量。/n
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