[发明专利]一种硅通孔互连结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910933910.8 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110648963A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 曹立强;刘道祥;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于器件制备技术领域，具体涉及一种硅通孔互连结构的制备方法。该方法包括键合若干器件，形成一堆叠件，并在所述堆叠件的底部键合承载片；刻蚀所述堆叠件形成若干硅孔，并对所述硅孔的侧壁进行绝缘处理；填充所述硅孔，并烧结填充物形成致密材料；依次进行平坦化、布线植球，最后解键合去除所述承载片，形成硅通孔互联结构。该方法通过键合先将各个器件堆叠成型，然后形成硅孔，经填充即可实现硅孔互联结构的导通，且不会出现链接偏移、断路的现象，使硅通孔互联结构具有较好的可靠性。该方法可以减少制备步骤，缩短制备时间和成本。本发明制备得到的硅通孔互联结构不存在通孔互联时的偏移以及连接产生接触阻抗偏大的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 互联结构 硅通孔 键合 制备 偏移 承载片 堆叠件 填充 填充物 互连结构 接触阻抗 绝缘处理 器件制备 致密材料 烧结 断路 平坦化 布线 侧壁 导通 叠件 堆叠 刻蚀 链接 通孔 植球 去除 成型 互联 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔互连结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，/n键合若干器件，形成一堆叠件，并在所述堆叠件的底部键合承载片；/n刻蚀所述堆叠件形成若干硅孔，并对所述硅孔的侧壁进行绝缘处理；/n填充所述硅孔，并烧结填充物形成致密材料；/n依次进行平坦化、布线植球，最后解键合去除所述承载片，形成硅通孔互联结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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