[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201910935220.6 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110534414B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 黄胜男;曹开玮;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有暴露出所述衬底的沟槽；在所述结构层表面和所述沟槽表面依次形成金属层和金属氮化物层，高温退火使所述金属层反应生成金属硅化物层；通入SC1和热硫酸去除所述金属氮化物层和未反应的所述金属层；所述沟槽的侧壁附带形成颗粒，所述颗粒的表面形成有氧化层；使用HF清洗所述沟槽，以去除所述颗粒和所述氧化层；使用SC1清洗所述沟槽，以全部去除所述颗粒，消除所述氧化层包裹所述颗粒附着在所述沟槽侧壁引起的空洞缺陷，从而提高半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有暴露出所述衬底的沟槽；/n在所述结构层表面和所述沟槽表面依次形成金属层和金属氮化物层，高温退火使部分所述金属层反应生成金属硅化物层；/n通入SC1和热硫酸去除所述金属氮化物层和未反应的所述金属层；/n使用HF清洗所述沟槽；以及，/n使用SC1清洗所述沟槽。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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