[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 201910936715.0 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN111009477A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 犹原英司;冲田有史;角间央章;増井达哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上4*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种可对喷出至基板的端部的液柱状的处理液进行拍摄的基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括:保持工序、旋转工序、上升工序、斜面处理工序、摄像工序以及监视工序。在上升工序中,使包围基板保持部的外周的杯状构件上升,并使杯状构件的上端位于较保持于基板保持部的基板的上表面而言更高的上端位置。在斜面处理工序中,自位于较上端位置而言更低的位置的喷嘴的喷出口向保持于基板保持部的基板的上表面的端部喷出处理液。在摄像工序中,使照相机对作为包含自喷嘴的喷出口喷出的处理液的摄像区域且自基板的上方的摄像位置看到的摄像区域进行拍摄,来取得摄像图像。在监视工序中,基于摄像图像判定处理液的喷出状态。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造