[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，包括第一堆栈以及位于第一堆栈上的堆栈中间层和硬掩模层，且半导体结构具有垂直贯穿的第一沟道孔；在半导体结构表面和第一沟道孔内覆盖牺牲层；去除半导体结构表面的牺牲层，并去除第一沟道孔侧壁的部分牺牲层，使第一沟道孔侧壁的牺牲层顶部具有第一倒台形轮廓，第一倒台形轮廓从牺牲层顶部之下的垂直侧壁倾斜地延伸到堆栈中间层侧壁所在垂直面；以及按照预设的刻蚀比来刻蚀第一沟道孔处的硬掩模层、堆栈中间层和牺牲层的第一倒台形轮廓，形成第二倒台形轮廓，第二倒台形轮廓从牺牲层侧壁倾斜地延伸到堆栈中间层侧壁。

主权项

1.一种三维存储器的制造方法，包括以下步骤：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括第一堆栈以及位于所述第一堆栈上的堆栈中间层和硬掩模层，所述第一堆栈包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层，且所述半导体结构具有垂直贯穿的第一沟道孔；/n在所述半导体结构表面和所述第一沟道孔内覆盖牺牲层；/n去除所述半导体结构表面的牺牲层，并去除所述第一沟道孔侧壁的部分牺牲层，使所述第一沟道孔侧壁的牺牲层顶部具有第一倒台形轮廓，所述第一倒台形轮廓从所述牺牲层顶部之下的垂直侧壁倾斜地延伸到所述堆栈中间层侧壁所在垂直面；以及/n按照预设的刻蚀比来刻蚀所述第一沟道孔处的硬掩模层、堆栈中间层和所述牺牲层的第一倒台形轮廓，形成第二倒台形轮廓，所述第二倒台形轮廓从所述牺牲层侧壁倾斜地延伸到所述堆栈中间层侧壁。/n