[发明专利]一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201910939972.X | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110808289A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张盛东;张羽晴;陆磊 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人： | 沈超 |
| 地址： | 518071 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 顶栅肖特基 氧化物 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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