[发明专利]功率半导体模块衬底在审
| 申请号： | 201910940010.6 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110867438A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 周宇;罗皓泽;李武华;毛赛君;沈捷;何湘宁 | 申请（专利权）人： | 臻驱科技(上海)有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种功率半导体模块衬底。功率半导体模块衬底包括：第一功率金属敷层、第二功率金属敷层、第三功率金属敷层、第四功率金属敷层、以及辅助金属敷层，该辅助金属敷层形成于第一功率金属敷层与第二功率金属敷层之间以及第三功率金属敷层与第四功率金属敷层之间，在该辅助金属敷层上形成有栅极信号端子，辅助金属敷层在晶体管芯片和二极管芯片的排列方向上延伸，至少延伸至与排列方向上位于最边缘处的晶体管芯片的控制电极正对的位置。根据本发明，能够通过合理的驱动回路布置从而减小并联芯片的杂散电感和不均程度。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 衬底 | ||
【主权项】：
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