[发明专利]一种功率半导体模块的桥臂单元设计在审
| 申请号： | 201910940772.6 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110797328A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 周宇;罗皓泽;李武华;毛赛君;沈捷;何湘宁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;臻驱科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 11225 北京金信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘锋;戎骏京 |
| 地址： | 310011 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，包括上桥臂单元、下桥臂单元、联通连接装置和衬底，所述上桥臂单元及所述下桥臂单元设置在所述衬底上，所述上桥臂单元与所述下桥臂单元相对称设置；采用本发明的功率半导体模块的桥臂单元设计，将门极信号端子布置于对称中心位置，实现了多芯片并联情况下控制回路杂散参数的均衡，并有效减小了杂散参数的绝对值。 | ||
| 搜索关键词： | 上桥臂 下桥臂 功率半导体模块 桥臂单元 衬底 杂散 对称中心位置 单元设置 控制回路 连接装置 信号端子 多芯片 并联 减小 联通 均衡 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体模块的桥臂单元设计，其特征在于，包括上桥臂单元、下桥臂单元、联通连接装置和衬底，所述上桥臂单元及所述下桥臂单元设置在所述衬底上，所述上桥臂单元与所述下桥臂单元相对称设置；/n所述上桥臂单元包括第一源极信号端子，第一门极信号端子、第一功率金属敷层及第一辅助金属敷层，所述第一辅助金属敷层及所述第一源极信号端子设置在所述第一功率金属敷层上，所述第一辅助金属敷层设置在所述上桥臂单元的中心位置，所述第一辅助金属敷层设置有第一突出结构，所述第一源极信号端子设置在远离所述第一突出结构的一侧，所述第一门极信号端子设置在所述第一辅助金属敷层上；/n所述下桥臂单元包括第二源极信号端子、第二门极信号端子、第二功率金属敷层及第二辅助金属敷层，所述第二辅助金属敷层及所述第二源极信号端子设置在所述第二功率金属敷层上，所述第二辅助金属敷层设置在所述下桥臂单元的中心位置，所述第二辅助金属敷层设置有第二突出结构，所述第二源极信号端子设置在远离所述第二突出结构的一侧，所述第二门极信号端子设置在所述第二辅助金属敷层上。/n
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