[发明专利]一种横向双扩散晶体管及其漂移区的制造方法有效
| 申请号： | 201910942028.X | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN110729194B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;陆阳;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，本发明中，利用了胶层和掩膜层的设计，利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，先对第二介质层，或第二和第三介质层，进行各向异性刻蚀，打开漂移区的中间区域，进行第一次漂移区注入，再利用胶层或第三介质层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀，去除胶层或胶层和第三介质层，利用第二介质层作为阻挡，进行第二次漂移区注入。在两次漂移区注入之间，仅需要进行一次光刻，形成了线性梯度漂移区。本发明减少了工艺流程和制作成本，并能够满足较高关断击穿电压和较低导通阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 晶体管 及其 漂移 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种横向双扩散晶体管漂移区的制造方法，包括以下步骤：/n在衬底表面依次至少淀积第一介质层和第二介质层，形成掩膜层；/n通过涂覆胶层曝光打开漂移区的中间位置，利用胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向异性刻蚀，并进行第一次漂移区的注入，形成第一掺杂区；/n利用涂覆在最后介质层上的胶层作为阻挡，对第二介质层进行各向同性刻蚀；/n去除胶层，利用第二介质层进行阻挡，再进行第二次漂移区的注入，形成第二掺杂区；/n其中，所述第一掺杂区和第二掺杂区的类型相反，第一掺杂区与衬底层的掺杂类型相同。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
