[发明专利]一种5G通讯用膜材料及其制备方法

摘要

本发明提供了一种5G通迅用膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、含氟聚硅氧烷酰亚胺的制备，步骤S2、基于液晶单体共聚物的制备，步骤S3、多孔氟掺杂C包覆Si‑Zr‑Be‑O的制备，步骤S4、膜的制备。本发明还公开了根据所述5G通迅用膜材料的制备方法制备而成的膜材料。本发明公开的一种5G通迅用膜材料综合性能优异，介电常数和介电损耗小，机械力学性能、耐候性和耐热性能佳，性能稳定性好，使用寿命长。

主权项

1.一种5G通迅用膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S1、含氟聚硅氧烷酰亚胺的制备：将双氨丙基聚二甲基硅氧烷装入到盛有高沸点溶剂的聚合瓶中，室温下搅拌使之完全溶解后，冰水浴下投入4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐，维持反应体系在0℃，持续搅拌反应3-5小时，后将反应后溶液浇注在聚四氟乙烯板上，置于不锈钢鼓风烘箱中进行热亚胺化反应，得到含氟聚硅氧烷酰亚胺；/n步骤S2、基于液晶单体共聚物的制备：将3-(1-萘基)丙烯酸、肉桂腈、(反)-4-(4-正丙基环己基)-2,3-二氟-4'-(3-丁烯基)-联苯、烯丙基三甲氧基硅烷、引发剂溶于N,N-二甲基甲酰胺中，在氮气或惰性气体氛围，75-85℃下搅拌反应4-6小时，反应结束后，在水中沉出，并用乙醇洗涤沉出的聚合物3-6次，后置于不锈钢鼓风烘箱中80-90℃下干燥至恒重，得到基于液晶单体共聚物；/n步骤S3、多孔氟掺杂C包覆Si-Zr-Be-O的制备：将四氯化硅、硝酸锆、氯化铍加入到含有乙醇的烧杯中，搅拌0.5-1h后，缓慢加入醋酸盐，再剧烈搅拌1.5-2.5h后，将溶液转移到聚氟乙烯内衬的水热反应釜中，在200-220℃反应18-22h；取出反应釜，待反应体系冷却后用去离子水和无水乙醇反复洗涤，最后在70-80℃的真空干燥箱中干燥18-24小时；然后将产物分散于水中，然后向其中加入六氟异丙醇，在50-60℃下搅拌3-5小时，后在70-80℃的真空干燥箱中干燥18-24小时，碾磨过300-400目筛，再在550-650℃的氮气氛围下灼烧3-5h，冷却至室温，碾磨过300-400目筛，得到多孔氟掺杂C包覆Si-Zr-Be-O；/n步骤S4、膜的制备：将经过S1制备得到的含氟聚硅氧烷酰亚胺、经过步骤S2制备得到的基于液晶单体共聚物、经过步骤S3得到的多孔氟掺杂C包覆Si-Zr-Be-O加入到N-甲基吡咯烷酮中，在60-80℃下搅拌1-2小时，后继续超声10-20分钟，然后将得到的混合物浇注于模具中，再将模具置于不锈钢鼓风烘箱中80-90℃下蒸发除去溶剂，至恒重后，得到5G通讯用膜材料。/n