[发明专利]一种大尺寸晶体生长单晶炉在审
| 申请号： | 201910944068.8 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110512275A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 高佑君;柴晓磊;樊海强 | 申请（专利权）人： | 山西中科晶电信息材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42;C30B29/40 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 申绍中<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 043604 山西省运城*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制备装置领域，更具体而言，涉及一种大尺寸晶体生长单晶炉，包括PBN坩埚、石英管、加热器，其中加热器包括底部加热器和侧壁加热器；通过坩埚底部玻璃棒提供热流失通道；通过多组加热器实现对炉芯及坩埚炉、石英管的热辐射加热，多组加热器独立运作，实现不同部位不同温度的加热；通过底部加热器温度调整，控制晶体的引晶及放肩过程。晶体生长引晶阶段通过对螺旋加热器的功率微调整达到控制PBN坩埚内锥形温度梯度的控制，进行引晶并实现晶体放肩。放肩完成后，长体阶段通降低圆锥外围加热器的功率的大幅调整，增大晶体头部的温度梯度，进而实现对热散失途径的控制，实现微凸的晶体生长液面，达到长大直径长尺寸晶体的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 加热器 放肩 引晶 底部加热器 晶体生长 温度梯度 石英管 加热 半导体制备装置 大尺寸晶体生长 玻璃棒 侧壁加热器 螺旋加热器 尺寸晶体 独立运作 控制晶体 温度调整 单晶炉 内锥形 热辐射 热流失 热散失 微调整 坩埚炉 圆锥 长体 炉芯 微凸 液面 坩埚 外围 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸晶体生长单晶炉，其特征在于：包括PBN坩埚（1）、石英管（2）、加热器，所述加热器包括底部加热器（3）和侧壁加热器（4）；所述PBN坩埚（1）设置在石英管（2）内，所述石英管（2）上部设置有石英帽（5），石英管（2）放置在炉芯（6）上，所述石英管（2）与炉芯（6）之间设置有底部加热器（3），炉芯（6）在石英管（2）石英嘴相应位置开设有架设孔，架设孔下部设置有玻璃棒（7）；所述PBN坩埚（1）与石英管（2）设置在保温装置（8）内，所述保温装置（8）为下部开口的中空筒状结构，所述保温装置（8）内壁镶嵌有侧壁加热器（4）。/n
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