[发明专利]一种硅片清洗方法有效

专利信息
申请号: 201910944719.3 申请日: 2019-09-30
公开(公告)号: CN110880449B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 王偲偲 申请(专利权)人: 王偲偲
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 代理人: 衣然
地址: 215421 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种硅片清洗方法,包括以下步骤:1)使用第一阳极电离液对硅片进行清洗,得到第一硅片;2)使用阴极电离液对第一硅片进行清洗,得到第二硅片;3)使用第二阳极电离液对第二硅片进行清洗,得到第三硅片;4)使用去离子水对第三硅片进行清洗。本发明的硅片清洗方法,使用第一阳极电离液可将硅片表面的有机污染物直接氧化成二氧化碳和水;使用阴极电离液冲洗第一硅片,将部分金属颗粒通过络合溶解去除,而不可溶的金属颗粒外面则会包裹上一层带有负电荷的溶液;使用第二阳极电离液对第二硅片进行清洗,第二阳极电离液呈酸性且带有正电荷,通过正负电荷吸附原理,将不可溶的金属颗粒冲洗去除;清洗效果好,对环境影响小。
搜索关键词: 一种 硅片 清洗 方法
【主权项】:
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