[发明专利]一种硅片清洗方法有效
| 申请号： | 201910944719.3 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110880449B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 王偲偲 | 申请（专利权）人： | 王偲偲 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 215421 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片清洗方法，包括以下步骤：1)使用第一阳极电离液对硅片进行清洗，得到第一硅片；2)使用阴极电离液对第一硅片进行清洗，得到第二硅片；3)使用第二阳极电离液对第二硅片进行清洗，得到第三硅片；4)使用去离子水对第三硅片进行清洗。本发明的硅片清洗方法，使用第一阳极电离液可将硅片表面的有机污染物直接氧化成二氧化碳和水；使用阴极电离液冲洗第一硅片，将部分金属颗粒通过络合溶解去除，而不可溶的金属颗粒外面则会包裹上一层带有负电荷的溶液；使用第二阳极电离液对第二硅片进行清洗，第二阳极电离液呈酸性且带有正电荷，通过正负电荷吸附原理，将不可溶的金属颗粒冲洗去除；清洗效果好，对环境影响小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王偲偲，未经王偲偲许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910944719.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
